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1600℃真空/气氛管式炉CVD系统(CVD-TF)

CVD-TF16P50/60/80/100   CVD-TF16T50/60/80/100   CVD-TF16P60/80/100S   CVD-TF16T60/80/100S
1600℃真空/气氛管式炉CVD系统(CVD-TF),提供具有真空、可控气氛及高温的实验环境,应用在半导体、纳米技术、等纤维等领域,此款CVD生长系统适用于CVD工艺,如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。 优点 炉膛采用多晶莫来纤维真空吸附制成,温场均匀节能50%以上
自主研发的空气导流隔热技术保证箱内各部件的使用寿命及恒温效果
启动电炉,排温风机同时自动运行,试验结束后,排温风机将继续运行,直至炉体温度低于60℃,排温风机自行停止,有效保护了炉体表面
炉门开启自动断电、超温保护功能、漏电保护功能,以确保使用的安全性 安全性 过升报警、菜单锁定、过升防止、复电延时。
采用单向阀技术,使气体流量在可控压力范围内控制,安全。
采用混气罐装置,使气体可以在充分混合后导入工作室内,确保不会泄露。
■ 产品特点

提供具有真空、可控气氛及高温的实验环境,应用在半导体、纳米技术、等纤维等领域

此款CVD生长系统适用于CVD工艺,如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。

炉膛采用多晶莫来纤维真空吸附制成,温场均匀节能50%以上

自主研发的空气导流隔热技术保证箱内各部件的使用寿命及恒温效果

启动电炉,排温风机同时自动运行,试验结束后,排温风机将继续运行,直至炉体温度低于60℃,排温风机自行停止,有效保护了炉体表面

炉门开启自动断电、超温保护功能、漏电保护功能,以确保使用的安全性

电路采用连续加热输出方式,双回路供电,强弱电单独走线提高了系统的稳定性

加热模块采用直流信号调节输出功率,避免了感应电对控制信号的干扰

操作按键选用低压金属按钮,自带状态指示灯,操作安全直观

上下炉体采用航空插头连接方式,连接安全方便

气路总成采用食品级316不锈钢制成,具有耐蚀性,耐大气腐蚀性和耐高温强度好,无磁性

采用数显流量显示仪,配合质量流量控制器,采集数据并控制流量。重复性好,相应速度快,稳定等特点。(气体质量流量控制系统)

自动控制与手动控制切换功能,自动控制模式能通过设定值自动开启/关闭真空泵,使容器内保持在一定的真空压力范围内。手动控制模式使用用户通过真空泵开启/关闭按钮直接操作真空泵。以满足不同实验的需要。(中真空控制系统)

电磁阀缓启动技术,使电磁阀在真空泵开启10秒钟后打开,使炉管内系统压力保持准确,也保证了废气不会返回到炉管系统影响实验效果(中真空控制系统)

■安全性:

过升报警、菜单锁定、过升防止、复电延时。

采用单向阀技术,使气体流量在可控压力范围内控制,保证安全。

采用混气罐装置,使气体可以在充分混合后导入工作室内,确保不会泄露。


■ 技术参数
温区单温区双温区
 型号 CVD-TF16P50 CVD-TF16P60CVD-TF16P80 CVD-TF16P100 CVD-TF16P60SCVD-TF16P80SCVD-TF16P100S
CVD-TF16T50CVD-TF16T60CVD-TF16T80CVD-TF16T100CVD-TF16P60SCVD-TF16T80SCVD-TF16T100S
性能 使用温度范围 300~1600
温度分辨率 1
控温 ± 1
 升温速率 0~20/min
 加热区长度260mm  600mm
恒温区长度120mm300mm
真空度-0.1MPa
空炉升温时间15min
  构成 外装 冷轧钢板,表面耐药品性涂装
炉膛体 多晶莫来石纤维
炉膛尺寸  440*390*330 780*390*330
 炉管刚玉管       
 炉管尺寸 φ50*1000φ60*1000φ80*1000φ100*1000φ60*1200φ80*1200φ100*1200
加热器 硅钼棒
加热功率 4KW 4KW 10KW10KW
断热层双层强制风导流
  控制  控制器  P:进口程序控温数码显示;   T7寸彩色触摸屏程序控温
 控制方式 使用微型电脑PID控制 / S型双温区单独控温
 设定方式  P:轻触五按键动作、数显设定;   T:手指触摸轻点设定
 显示方式 P:双行LED数字显示;   T:彩色液晶屏显示
 定时 0~999.9小时
 运行功能  定值运行、程序运行
 程序模式  P:程序运行、4条曲线、共40步;    T50 可调用储存程序
 传感器  S型热电偶
附属功能P:校正功能;     T:校正功能、实时曲线记录、U盘数据导出
安全装置过流漏电保护开关过流保护开关
质量流量控制系统气路数量3路(可根据具体需要选配气路数量)
流量范围0-0500sccm(标准毫升/分,可选配)氮气标准
精度±1%F.S
响应时间≤4s
工作温度(流量计)5-45
工作压力进气压力0.05-0.3MPa(表压力)
系统连接方式采用KF快速连接波纹管、高真空手动挡板阀及数显真空测量仪
中真空系统真空范围10-100Pa
控制系统真空泵双级机械泵理论极限真空度3x10-1Pa,抽气速率4L/s,出气口配有油污过滤器,额定电压200V,功率0.55Kw

CVD系统配置1600度真空管式炉(可选配单温区、双温区)       多路质量流量控制系统        真空系统


上一个:1400℃真空/气氛管式炉CVD系统(CVD-TF)
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